印制板及其組件(PCB&PCBA)是電子產品的核心部件，PCB&PCBA的可靠性直接決定了電子產品的可靠性。為了保證和提高電子產品的質量和可靠性，對失效進行全面的理化分析，確認失效的內在機理，從而有針對性地提出改善措施。
電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術和分析程序確認電子元器件的失效現象，分辨其失效模式和失效機理，確認最終的失效原因，提出改進設計和制造工藝的建議，防止失效的重復出現，提高元器件可靠性。
集成電路復雜度與性能要求的持續攀升，疊加設計、制造、封裝及應用環節的潛在風險，導致短路、開路、漏電、燒毀、參數漂移等關鍵失效模式頻發。這不僅造成昂貴的器件報廢與系統宕機，更常引發設計方、代工廠、封測廠與終端用戶間的責任爭議，帶來重大經濟損失與信譽風險。
高分子材料性能要求持續提升，而客戶對高要求產品及工藝的理解差異，導致斷裂、開裂、腐蝕、變色等典型失效頻發，常引發供應商與用戶間的責任糾紛及重大經濟損失。
金屬構件服役環境日益苛刻，對材料性能和結構可靠性提出更高要求。然而，設計缺陷、材料瑕疵、制造偏差或不當使用等因素，極易引發疲勞斷裂、應力腐蝕開裂、氫脆、蠕變、磨損、過載變形等典型失效。
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動態二次離子質譜（D-SIMS）

D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結構信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層（1nm以內），僅帶出表面的化學信息，具有分析區域小、分析深度淺和檢出限高的特點，廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業和研究方面。

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動態二次離子質譜（D-SIMS）

| 項目概述

 

二次離子質譜技術（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子的質量來測定元素種類，具有極高分辨率和檢出限的表面分析技術。D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結構信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層（1nm以內），僅帶出表面的化學信息，具有分析區域小、分析深度淺和檢出限高的特點，廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業和研究方面。

 

 

| 測試目的

 

（1）當產品表面存在微小的異物，而常規的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析，可選擇D-SIMS進行分析，D-SIMS能分析≥10μm直徑的異物成分。

（2）當產品表面膜層太薄，無法使用常規測試進行膜厚測量，可選擇D-SIMS進行分析，利用D-SIMS測量≥1nm的超薄膜厚。

（3）當產品表面有多層薄膜，需測量各層膜厚及成分，利用D-SIMS能準確測定各層薄膜厚度及組成成分。

（4）當膜層與基材截面出現分層等問題，但是未能觀察到明顯的異物痕跡，可使用D-SIMS分析表面超痕量物質成分，以確定截面是否存在外來污染，檢出限高達ppb級別。

（5）摻雜工藝中，摻雜元素的含量一般是在ppm-ppb之間，且深度可達幾十微米，使用常規手段無法準確測試摻雜元素從表面到心部的濃度分布，利用D-SIMS可以完成這方面參數測試。

 

 

| 美信優勢

 

1、專業團隊：擁有多名經驗豐富的檢測工程師和技術專家。

2、先進設備：配備國際領先的檢測設備，確保檢測結果的準確性和可靠性。

3、高效服務：快速響應客戶需求，提供一站式高效檢測服務。

4、權威認證：實驗室通過ISO/IEC 17025認證，檢測報告具有國際公信力。

 

常見問題
  • 注意事項
    （1）樣品最大規格尺寸為1×1×0.5cm，當樣品尺寸過大需切割取樣，樣品表面必須平整。
    （2）取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環境的包裝， 避免外來污染影響分析結果。
    （3）D-SIMS測試的樣品不受導電性的限制，絕緣的樣品也可以測試。
    （4）D-SIMS元素分析范圍H-U，檢出限ppb級別。
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