







病例摘要
FE1.1S HUB芯片
裝機服役約3-6個月
突發性功能喪失,導致所在設備USB端口無法識別任何外接設備
同一批次多個“個體”先后出現類似癥狀,更換新芯片后設備暫時恢復正常
病因不明,復發風險高,需進行系統性「尸體解剖」與「病理分析」以查明根本死因
我們常面臨一個典型困境:芯片外觀完好,卻功能盡失。這背后究竟是芯片自身存在設計或工藝的先天缺陷,還是在生產、運輸或使用中受到了外部應力的不可逆損傷?
為此,我們對其展開了一次系統的 “工業診斷”...
外觀檢查
NG樣品外觀圖
芯片體表完好,無破損、燒蝕、變形等外傷跡象。
?? 初步排除機械損傷與外部過熱致死可能。
I-V曲線測試
NG4樣品I-V曲線典型圖
NG5樣品I-V曲線典型圖
對比健康芯片后發現,部分失效芯片的 “11號引腳”對地電阻異常,呈現阻性甚至短路狀態。
?? 這說明內部特定電路節點已受損,如同某條關鍵血管發生了“梗塞”。
無損透視 & 超聲掃描
NG2樣品X-ray檢測圖
NG4樣品X-ray檢測圖
X光(內部結構):發現部分芯片存在 “銀漿上爬過高” 的工藝瑕疵。這好比局部“組織增生”,在潮濕環境下易引發“遷移感染”(電遷移短路),屬于長期風險。
超聲掃描圖-二焊點
超聲掃描圖-基板
超聲(內部結合):檢出個別樣本存在內部 “分層” (結合不良)。這類似于“組織粘連不牢”,影響長期健康,但并非本次急性死亡的直接原因。
?? 發現了一些“慢性病”跡象,但還不是導致本次“猝死”的致命一刀。
開封內部觀察
NG樣品開封圖
去除外殼后,直接觀察芯片晶圓表面,仍未發現明顯壞死(燒毀)點,且異常電性能依舊存在。
?? 這基本排除了“銀漿遷移”導致急性短路的可能,病因繼續向更深處隱藏。
Thermal EMMI熱點定位 & 剝離分析
NG4樣品定位分析圖
NG5樣品定位分析圖
這是關鍵一步。我們利用Thermal EMMI技術,像使用紅外熱成像儀一樣,定位芯片在工作時的異常發熱點。在異常的11號引腳附近,靜電保護電路區域出現了異常“高熱”信號。
NG4樣品亮點位置形貌圖
NG4樣品相同OK區域形貌圖
通過化學方法逐層剝離(類似病理切片),在該區域觀察到了微米級的燒毀形貌。
?? 至此,兇器露出端倪:損傷集中在芯片的“免疫系統”——靜電保護電路上。
驗證實驗:重現“現場”
OK樣品人體靜電實驗圖
推測是靜電擊穿,但需要證實。我們對健康芯片進行了 “靜電攻擊模擬實驗” 。對同型號健康芯片的相同引腳,施加標準的人體模型(HBM)靜電脈沖。
靜電模擬實驗后芯片剝離后SEM圖
當靜電電壓達到4-4.4 kV時,芯片在完全相同的保護電路位置被擊穿,且擊穿損傷的微觀形貌與失效芯片的燒毀特征高度一致。
?? 該失效芯片曾暴露在靜電放電環境中,保護電路受到隱性損傷。隨后在多次正常上電工作中,損傷點不斷惡化,最終導致保護電路燒毀,功能徹底喪失。
?? 最終診斷
直接原因:芯片內部出現燒毀。
根本原因:芯片承受了較大的靜電損傷,在后續的上電過程中,擊穿位置出現燒毀,最終導致芯片失效。
??? 治療建議
加強芯片在運輸及使用過程中的靜電防護。
芯片本身存在可靠性應用風險,與物料供應商溝通改良。
在你們的工作中,是否有過因靜電導致的“懸案”?后來是如何破案并建立防線的?或者,你對ESD防護有哪些獨到的經驗和困惑?





